Samsung เปิดตัว eUFS 3.0 ขนาด 512GB ระบุความเร็วสูงกว่าหน่วยความจำอื่นๆ 20 เท่า


Samsung เปิดตัว eUFS 3.0 ขนาด 512GB ระบุความเร็วสูงกว่าหน่วยความจำอื่นๆ 20 เท่า

Font Size A A A

 

          Samsung เปิดตัวหน่วยความจำประเภท eUFS 3.0 ขนาดความจุ 512GB โดยระบุว่ามีประสิทธิภาพที่ดีกว่า eMMC และ UFS 2.1 มาก และเริ่มเข้าสู่กระบวนการผลิต Mass Production แล้ว

ก่อนหน้านี้ Samsung เปิดตัว eUFS ที่มีขนาดใหญ่ถึง 1TB มาแล้ว แต่ทว่าหน่วยความจำนั้นเป็นเพียง UFS 2.1 ที่กำหนดเอาไว้ ทำให้ประสิทธิภาพ ความเร็วในการอ่าน เขียน อาจจะไม่เร็วอย่างที่หลายๆ คนคาดเอาไว้ ส่วนหน่วยความจำ 512GB ที่เป็นมาตรฐาน eUFS 3.0 นี้ใช้ V-NAND รุ่นที่ห้าขนาด 512Gb จำนวน 8 ชิ้นทับซ้อนกัน โดยสามารถทำความเร็วอ่านสูงสุดที่ 2,100 Mbps สูงกว่าหน่วยความจำที่ช้าอย่าง MicrosD มากถึง 20 เท่าด้วยกัน (แต่ถ้าหากมาตรฐาน MicroSD Express เริ่มใช้งานจริง ก็จะต่างกันเหลือเพียงสองเท่า) สำหรับการเขียนข้อมูลหนัง Full HD จากคอมพิวเตอร์จะใช้เวลาเพียง 3 วินาทีเท่านั้น ส่วนความเร็วในการเขียนข้อมูลก็เพิ่มขึ้นอีก 50% กลายเป็น 410 Mbps สำหรับความเร็วในการใช้งานอื่นๆ Random Read Seq. เพิ่มขึ้น 36% กลายเป็น 63,000 IOPS และ Random Write Seq. เพิ่มขึ้นเป็น 68,000 IOPS ทำให้สามารถใช้งานหลายๆ อย่างได้อย่างพร้อมๆ กันและรวดเร็ว

Samsung จะเริ่มส่งมอบหน่วยความจำ 128GB และ 512GB แบบ eUFS 3.0 ให้กับผู้ผลิตที่สั่งเอาไว้เดือนหน้า ส่วน 256GB และ 1TB แบบ eUFS 3.0 จะเริ่มผลิตและส่งให้ผู้ผลิตได้ครึ่งหลังของปีนี้ โดยมือถือรุ่นแรกที่เราจะได้เห็นก็คือ Samsung Galaxy Fold นั่นเอง หลังจาก eUFS 3.0 ได้รับความนิยมสิ่งที่น่าจะเกิดขึ้นก็คือราคาของ eUFS 2.1 จะราคาตกอย่างรวดเร็ว ถึงตอนนั้นมือถือระดับกลางที่ยังคงใช้ eMMC อยู่ก็จะหันมาใช้ eUFS 2.1 และผู้ชนะในหนนี้ก็คือผู้บริโภคที่ได้ใช้ของที่ดีขึ้นกว่าเดิมนั่นเอง

ร่วมแสดงความคิดเห็น

ข่าวที่น่าสนใจ